- 1Languette métallique (dissipateur) · trou de Ø 3,7 mm
- 2Boîtier époxy
- 3Broches G-D-S · pas de 2,54 mm
Boîtier TO-220 ≈ 10 × 15 mm, languette métallique percée · Exemple sur l’image : MOSFET canal P de la classe IRF9540N, TO-220
MOSFET à canal P
L’image miroir du canal N ; une vanne qui s’ouvre quand sa grille est tirée vers le bas.
Il fait office d’interrupteur sur le côté positif de la charge ; il protège aussi contre une pile branchée en sens inverse.
Dans les appareils à piles, pour couper la puissance et dans les circuits de protection contre l’inversion de pile.
Un boîtier à languette métallique et trois broches ; on le distingue du canal N grâce au code inscrit dessus.
La source va au plus de l’alimentation ; si tu la confonds avec un canal N, il ne conduit pas. Il est sensible à l’électricité statique.
C’est le complémentaire du MOSFET canal N : la source est reliée au plus de l’alimentation et il conduit quand la grille est tirée sous la source. On l’utilise pour un interrupteur côté plus et la protection contre l’inversion de polarité. Sa résistance à l’état passant est plus élevée que celle d’un canal N de même taille.
IEC 60617 : symbole utilisé en Europe.
- VDS
- −100 V
- ID (continu)
- −23 A
- RDS(on)
- ≤ 0,117 Ω (VGS −10 V)
- VGS(th)
- −2 … −4 V
- VGS max.
- ±20 V
- Pilotage
- Tire la grille d’environ 10 V sous la source
- Boîtier
- TO-220
- Composant d’exemple
- IRF9540N (TO-220)
Test au multimètre
Teste si ce composant est bon avec le multimètre, dans l’écran de mesure.
Faire une mesure